Samsung создала чип флеш-памяти с 900 слоями

Samsung первой разработала опытный образец чипа флеш-памяти, который содержит 900 слоёв, сообщает ETNews.

Такую память используют в смартфонах, ИИ-серверах и накопителях ЦОД. Чем больше слоёв, тем больше данных можно хранить на той же площади, и тем меньше энергии потребляет устройство.

Чтобы достичь 900 слоёв, инженеры Samsung применили технологию Cell Multi Bonding (CMB). Они соединили две пластины по 450 слоёв в одну систему. Пришлось решить две технические проблемы: пластины не должны были изгибаться и смещаться при склейке.

Сейчас у главного конкурента, SK Hynix, в массовом производстве — 321 слой. Сама Samsung в этом году начнёт выпускать память с 400+ слоями. Китайская YMTC приближается к 300 слоям.

Однако когда технология с 900 слоями пойдёт в серию, пока неизвестно.