Скоростная оперативная память DDR6 появится не ранее 2028 года

Появление оперативной памяти нового поколения DDR6 на ожидается не ранее 2028–2029 годов. К этому времени отрасль, по прогнозам аналитиков, должна выйти из кризиса и перейти к фазе снижения стоимости, сообщает The Elec.

По данным СМИ, ведущие производители памяти Samsung, SK Hynix и Micron уже запустили подготовительный этап разработки. Компании обратились к поставщикам подложек с запросом на ускорение создания решений, соответствующих требованиям будущего стандарта.

Получив базовые технические спецификации, партнеры приступили к проектированию, учитывающему параметры толщины чипов, многослойную структуру и особенности разводки. На текущий момент ведется производство прототипов и их тестирование.

Несмотря на то что стандарт DDR6 пока официально не утвержден JEDEC, это не сдерживает ранние этапы разработки. Ожидается, что первыми новую память начнут внедрять в серверном сегменте, в первую очередь на фоне растущего спроса на инфраструктуру искусственного интеллекта.

Предполагается, что DDR6 обеспечит двукратный рост пиковой пропускной способности по сравнению с DDR5, что станет ключевым фактором ее востребованности в высоконагруженных вычислительных системах.