Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего

Ученые Новосибирского госуниверситета (НГУ) получили новые полупроводниковые материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего. Они смогут превосходить привычную нам флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, сообщили ТАСС в вуза.