Рамблер
Все новости
В миреФильмы и сериалыФутболНовости МосквыОтдых в РоссииХоккейПолитикаОтдых за границейЕдаОбществоАктерыЛайфхакиПроисшествияКрасотаЛичный опытПсихологияНаука и техникаШоу-бизнесЭкономикаТрендыВоенные новостиКомпанииАналитикаЛичный счетИгрыНедвижимостьДетиФигурное катаниеДом и садЛетние виды спорта
Личные финансы
Женский
Кино
Спорт
Aвто
Развлечения и отдых
Здоровье
Путешествия
Помощь
Полная версия

Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего

Ученые Новосибирского госуниверситета (НГУ) получили новые полупроводниковые материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего. Они смогут превосходить привычную нам флеш-память по количеству циклов перезаписи, емкости и быстродействию, сообщили ТАСС в пресс-службе вуза.

© Пресс-служба Новосибирского госуниверситета

Флеш-память - это устройство, которое позволяет хранить информацию даже при выключенном питании, а также записывать и удалять данные.

Как пояснил научный сотрудник лаборатории НГУ Иван Юшков, сейчас технология создания своих устройств достигла своего предела: достигнуто максимальное количество циклов перезаписи. Помочь преодолеть эти ограничения может новый тип памяти - мемристор. Это специальный резистор с эффектом памяти. Он способен запоминать воздействия, приложенные к нему ранее, и таким образом может хранить информацию.

"Научные сотрудники НГУ первыми в мире обнаружили в материалах на основе германо-силикатного стекла "эффект памяти" (мемристорный эффект), изучили их опто-электрические свойства, а сейчас исследуют процессы, происходящие в них в процессе протекания тока", - сообщили в вузе.

Кремний-германиевые стекла - это смесь оксида кремния и оксида германия. Ранее учеными исследовались отдельно оксиды кремния либо оксиды германия. Исследователи НГУ первыми решили совместить свойства этих двух веществ.

Для проведения экспериментов были выращены пленки четырех составов с разными соотношениями оксидов германия и кремния. Затем ученые изготовили специальные структуры с очень тонким слоем германо-силикатного стекла и приступили к проведению исследований, когда ученый задает напряжение, а затем регистрирует зависимость тока в образце при его изменении.

Исследования проводились в определенном температурном диапазоне - от комнатной температуры до 102 градусов Цельсия.

"Этот диапазон соответствует рабочим температурам мемристоров", - подчеркнули в вузе.

По этим зависимостям ученые моделировали свойства исследуемых образцов. Ученые выяснили, что лучше всего прогнозировать параметры устройств помогает модель под названием "Ток, ограниченный пространственным зарядом" (ТОПЗ).

Перспективы технологии

"Мы можем с помощью этой модели теоретически предугадать параметры будущего мемристора как одного из новых типов памяти. Также у нас есть возможность, исходя из модели ТОПЗ, более точно определять электрическое напряжение и переключение, то есть диапазон работы моделируемого нами прибора", - цитирует пресс-служба Юшкова.

Значимость исследования заключается в том, что благодаря его результатам ученые могут определить параметры мемристора теоретически, не выращивая наноструктуру.

"Мемристор отличается тем, что при его применении можно на порядки увеличить количество циклов перезаписи по сравнению с флеш-памятью. Кроме того, имеются публикации, в которых авторы показывают, что у мемристоров один цикл перезаписи более краткий по длительности: если у флеш-памяти это доли микросекуд, то у мемристоров - десятки наносекунд или даже пикосекунды, то есть в 1 тыс. и 1 млн раз быстрее соответственно. Так что с помощью мемристоров память может стать гораздо более "быстродействующей", - добавил Юшков.