Samsung Foundry объявила о начале массового производства чипов первого поколения на 3-нанометровом техпроцессе. Он основан на новой архитектуре транзисторов GAA (Gate-All-Around), которая является следующим шагом после FinFET.
По сравнению с 5-нм чипами Samsung они обеспечивают повышение производительности до 23%, снижение энергопотребления до 45% и уменьшение площади поверхности на 16%. 3-нм узел второго поколения будет еще более впечатляющим — по сравнению с 5-нм, компания заявляет, что он обеспечит снижение энергопотребления на 50%, повышение производительности на 30% и уменьшение площади на 35%.
Компания теперь опережает TSMC, которая, как ожидается, начнет массовое производство 3-нм чипов во второй половине года.