В Омске создали новый способ быстрого синтеза углеродных нановолокон для микроэлектроники
ОМСК, 10 июля. /Корр. ТАСС Анастасия Аникина/. Ученые Омского научного центра (ОНЦ) Сибирского отделения РАН впервые в мире использовали импульсный пучок заряженных частиц для быстрого получения углеродных нановолокон на поверхности недорогих полимеров - этот способ позволит получать более дешевые материалы для изготовления элементов гибкой электроники. Об этом рассказал ТАСС один из авторов исследования, старший научный сотрудник сектора наноструктурированных композиционных углеродных материалов ОНЦ СО РАН Владимир Ковивчак. "Сейчас наиболее перспективным материалом для изготовления элементов гибкой электроники - сенсоров, микросуперконденсаторов и др. - считают высокотемпературный полимер - полиимид, на поверхности которого с помощью импульсного лазера сформированы углеродные наноструктуры. Но высокая стоимость полиимида, необходимость многократного облучения и неоднородность получаемых углеродных наноструктур сдерживают развитие этой технологии", - рассказал Ковивчак. "Ученые ОНЦ СО РАН впервые в мире показали, что использование вместо лазерного излучения мощного протон- углеродного ионного пучка наносекундной длительности позволяет создавать слои углеродных нановолокон на поверхности недорогих промышленно доступных хлорполимеров, в которые введены специальные добавки - органические и неорганические соединения железа", - сообщил ученый. По словам ученого, новая технология позволяет в 10 млн раз быстрее выращивать наноструктуры по сравнению с существующими методами. "Скорость роста нановолокон в нашем методе при однократном облучении может достигать 160 микрометров в микросекунду, что в 10 в 7 степени раз превышает скорость роста наноструктурированного углерода в известных методах синтеза", - пояснил он. Кроме того, с помощью этого способа можно получать нановолокна на поверхности тонкого слоя полимера, нанесенного на материал с низкой температурой плавления, даже на бумагу, а другими способами нет - они протекают при температуре выше 500 градусов Цельсия. Ковивчак отметил, что новый способ синтеза планируется использовать прежде всего в электронной промышленности, также он перспективен для формирования углеродных сорбентов различного назначения на поверхности недорогих материалов.
