SanDisk представила SSD-накопитель на 256 ТБ
Новый накопитель использует 218-слойную 3D NAND-память BiCS с технологией CBA (CMOS directly Bonded to ) и двухтерабитными кристаллами. Интерфейс PCIe Gen5 NVMe обеспечивает высокую пропускную способность, что делает его подходящим для обработки больших данных, подготовки дата-сетов и работы с AI-хранилищами. По заявлению SanDisk, емкость SN670 превышает аналогичный продукт Kioxia LC9 (245,76 ТБ) более чем на 10 ТБ.
В SN670 применен специализированный контроллер и ряд оптимизаций, включая технологию Direct Write QLC, которая обеспечивает защиту данных при отключении питания уже на первом этапе записи. В отличие от многих конкурентов, здесь не используется кэш на основе одноуровневых ячеек (SLC), что может сказаться на скорости, однако разработчики заявляют о динамическом масштабировании частоты, которое повышает производительность на 10% при заданном уровне энергопотребления.
WD представит жесткие диски на 100 ТБ к 2030 году
Одной из ключевых инноваций стала система прогнозирования сохранности данных, сокращающая необходимость в перезаписи информации на 33%. Это не только повышает надежность накопителя, но и снижает энергозатраты. Майк Джеймс, старший директор по архитектуре корпоративных SSD в SanDisk, пояснил, что при таких объемах традиционные методы обслуживания NAND-памяти становятся неэффективными. Компания разработала новые алгоритмы, минимизирующие фоновые процессы и увеличивающие срок службы диска.
Первые образцы SN670 в форм-факторе U.2 (2,5 дюйма) появятся у тестовых клиентов уже в ближайшие недели, а массовые поставки начнутся в 2026 году. Позже будут представлены и другие варианты исполнения. В своем блоге SanDisk также намекнула на возможность создания SSD объемом до 1 ПБ в будущем.
Точные данные о скорости чтения/записи и ресурсе накопителя пока не раскрываются, что может быть связано с продолжающейся доработкой контроллера. Однако, судя по презентациям февраля 2025 года, SN670 демонстрирует значительный прирост производительности по сравнению с аналогами: на 68% выше скорость случайного чтения, на 55% — записи, а также улучшенные показатели последовательных операций. Изначально анонсированные сроки выпуска (третий квартал 2025 года) сдвинулись, что, вероятно, связано с удвоением максимальной емкости и дополнительными испытаниями.
Ранее, в мае 2025 года, генеральный директор SanDisk Дэвид Геклер упоминал о новых QLC-чипах на 2 ТБ и контроллере Stargate, который будет использоваться в накопителях с поддержкой PCIe Gen6. Это позволяет предположить, что SN670 станет одним из самых быстрых решений в своем классе, опережая не только PCIe Gen4-модели, но и конкурирующие Gen5-устройства от Solidigm и Phison.
Конечно же, накопитель такой рекордной на сегодняшний день емкости вызывает ажиотаж среди ученых, исследователей и бизнесменов. Однако финальная оценка его возможностей станет возможной только после предоставления полных технических характеристик и независимого тестирования.