Рамблер
Все новости
Личный опытНовости путешествийРынкиЛюдиИсторииБезумный мирБиатлонВ миреПриродаПрофессииПорядокЗОЖВоспитаниеЧто делать, еслиГаджетыМузыкаФинансовая грамотностьФильмы и сериалыНовости МосквыСтиль жизниНоутбуки и ПКГосуслугиПитомцыБолезниОтношенияКиноКредитыОтдых в РоссииФутболПолитикаПомощьСемейный бюджетИнструкцииЗдоровое питаниеТрудовое правоСериалыСофтВкладыОтдых за границейХоккейОбществоГероиЦифрыБезопасностьРемонт и стройкаБеременностьКнигиИнвестицииЛекарстваПоиск работыЛайфхакиАктерыЕдаПроисшествияЛичный опытНаучпопКрасотаМалышиТеатрыВыгодаПродуктивностьМебель и декорБокс/MMAНаука и техникаЗаконыДача и садПсихологияОбразованиеВыставки и музеиШкольникиКарты и платежиАвтоспортПсихологияШоу-бизнесЗащитаДетское здоровьеПрогулкиКарьерный ростБытовая техникаТеннисВоенные новостиХоббиЭкономикаБаскетболТрендыИгрыАналитикаТуризмКомпанииЛичный счетНедвижимостьФигурное катаниеДетиБиатлон/ЛыжиДом и садШахматыЛетние виды спортаЗимние виды спортаВолейболОколо спорта
Личные финансы
Женский
Кино
Спорт
Aвто
Развлечения и отдых
Здоровье
Путешествия
Помощь
Полная версия

Три молодых ученых МИЭТа получат стипендии президента

Проекты молодых ученых МИЭТа вошли в число лучших работ на президентском конкурсе научных исследований и разработок по приоритетным направлениям модернизации российской экономики. В этом году на конкурсный отбор было принято рекордное количество заявок – 3181. Теперь стипендиаты в течение трех лет будут получать президентскую стипендию в размере 22 800 рублей в месяц. Поздравляем победителей: · Юрия Мелешина (институт МПСУ) с проектом «Разработка и исследование многополосной радиосистемы с фазокодовой манипуляцией»; · Викторию Глухенькую (институт ПМТ) с проектом «Локальные структурные изменения в аморфных тонких пленках полупроводниковых материалов квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3 во время процесса кристаллизации»; · Дмитрия Терехова (институт ПМТ) с проектом «Закономерности изменения зависимостей коэффициента термоЭДС и проводимости тонких пленок халькогенидных полупроводников на линии квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3, предназначенных для термоэлектрических устройств».